Thermal EMMI(InSb)

設(shè)備工作原理：Thermal EMMI是利用InSb材質(zhì)的偵測(cè)器，接收故障點(diǎn)通電后產(chǎn)生的熱輻射分布，藉此定位故障點(diǎn)(熱點(diǎn)、亮點(diǎn)Hot Spot)位置，同時(shí)利用故障點(diǎn)熱輻射傳導(dǎo)的時(shí)間差，即能預(yù)估芯片故障點(diǎn)的深度位置。

應(yīng)用領(lǐng)域范圍：

集成電路、分立元器件、晶圓量測(cè)、TFT LCD面板產(chǎn)業(yè)、PCB/PCBA產(chǎn)業(yè)。創(chuàng)芯在線實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)能力優(yōu)勢(shì)：

（1）機(jī)臺(tái)半自動(dòng)化，分析效率更快；

（2）影像清晰，失效點(diǎn)位置有坐標(biāo)參考位置，定位更精確；

（3）可以對(duì)3D封裝 (stacked die)的芯片失效點(diǎn)的深度預(yù)估；

（4）由電氣專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域資深工程師分析測(cè)試。

設(shè)備測(cè)試能力:

1、檢測(cè)芯片封裝打線和芯片內(nèi)部線路是否短路；

2、對(duì)Probe探針量測(cè)晶圓短路的樣品進(jìn)行局部熱點(diǎn)定位，便于CP、3FIB&SEM/EDS測(cè)試；

3、介電層 (Oxide)漏電分析；

4、晶體管和二極管的漏電分析；

5、TFT LCD面板&PCB/PCBA的金屬線路是否存在缺陷和短路；

6、ESD 閉鎖效應(yīng)；

（1）3D封裝 (Stacked Die)失效點(diǎn)的深度預(yù)估；

（2）芯片未開(kāi)蓋的故障點(diǎn)的定位偵測(cè)；

（3）低阻抗短路(＜10ohm)的問(wèn)題分析。

7、設(shè)備拍照能力：

芯片絲?。涸诘捅堵氏?，可清楚看出芯片表面絲印(Marking)。

實(shí)驗(yàn)室設(shè)備優(yōu)勢(shì)：

1、低阻抗失效樣品偵測(cè)：

在阻抗極低的短路失效樣品中，利用InGaAs與OBIRCH并無(wú)法偵測(cè)到亮點(diǎn)，但Thermal EMMI可以成功清楚偵測(cè)到亮點(diǎn)，并且可以量測(cè)亮點(diǎn)相對(duì)坐標(biāo)，便于進(jìn)一步Delayer 或FIB-SEM/TEM分析。

2、芯片可以在非破壞性的條件下偵測(cè)到熱點(diǎn)：

芯片不需要開(kāi)蓋(Decap)，也可偵測(cè)出熱點(diǎn)(亮點(diǎn)Hot Spot)，結(jié)合X-ray檢測(cè)可以判斷熱點(diǎn)區(qū)域是在裸晶（Die）還是在封裝上。

3、PCB短路偵測(cè)：

PCB短路問(wèn)題也可以偵測(cè)到Hot Spot(熱點(diǎn))。

設(shè)備圖片：