分立器件失效分析報(bào)告
日期：2023-07-31 13:59:02 瀏覽量：1546 作者：創(chuàng)芯在線檢測(cè)中心
綜上測(cè)試分析（F2）樣品失效是由于 EOS/ESD 損傷導(dǎo)致，由于 F1 樣品與 F2 樣品失效均表現(xiàn)短路，因此，進(jìn)一步分析推測(cè)樣品失效均可能是由于過壓導(dǎo)致產(chǎn)品被擊穿造成 EOS損傷引起失效。
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綜上測(cè)試分析（F2）樣品失效是由于 EOS/ESD 損傷導(dǎo)致，由于 F1 樣品與 F2 樣品失效均表現(xiàn)短路，因此，進(jìn)一步分析推測(cè)樣品失效均可能是由于過壓導(dǎo)致產(chǎn)品被擊穿造成 EOS損傷引起失效。
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