在實(shí)際加工過(guò)程中也會(huì)遇到PCBA焊點(diǎn)失效的問(wèn)題，焊點(diǎn)的失效一方面來(lái)源于生產(chǎn)裝配中的焊接故障,如釬料橋連、虛焊、曼哈頓現(xiàn)象等;另一方面是在服役條件下,當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí),由于元器件與基板材料存在的熱膨脹系數(shù)差,在焊點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生熱應(yīng)力,應(yīng)力的周期性變化會(huì)造成焊點(diǎn)的疲勞損傷,同時(shí)相對(duì)于服役環(huán)境的溫度,SnPb釬料的熔點(diǎn)較低,隨著時(shí)間的延續(xù),產(chǎn)生明顯的粘性行為,導(dǎo)致焊點(diǎn)的變損傷。有必要分析并找出原因，以避免再次發(fā)生焊點(diǎn)故障。那么今天，就來(lái)給大家介紹一下PCB焊點(diǎn)失效分析的主要因素吧。

2022-12-13 16:39:06

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MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。要正確測(cè)試判斷MOSFET是否失效，重要關(guān)鍵是要找到失效背后的原因，并避免再犯同樣的錯(cuò)誤，本文收集整理了一些資料，期望能對(duì)各位讀者有比較大的參閱價(jià)值。

2022-12-09 14:40:55

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伴隨著生產(chǎn)制造和科技的發(fā)展趨勢(shì)，涂/涂層原材料逐漸出現(xiàn)在我們的視線而且快速發(fā)展并遍及于人們?nèi)粘Ｉ??？傮w來(lái)說(shuō)，將來(lái)對(duì)涂/涂層原材料技術(shù)性總的發(fā)展趨向是性能卓越化、高功能性、智能化系統(tǒng)和環(huán)?；取８鶕?jù)失效分析一系列剖析認(rèn)證方式，能夠搜索其無(wú)效的直接原因及原理，其在提升產(chǎn)品品質(zhì)、加工工藝改善及義務(wù)訴訟等領(lǐng)域有著關(guān)鍵實(shí)際意義。

2022-12-06 16:08:42

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機(jī)械零件由于某些原因喪失工作能力或達(dá)不到設(shè)計(jì)要求的性能時(shí)，稱(chēng)為失效。失效分析的結(jié)果，既可對(duì)零件的失效形式加以預(yù)測(cè)，又是零件選材的依據(jù)，同時(shí)又可以對(duì)合理制訂零件的制造工藝、優(yōu)化零件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，以及新材料的研制和新工藝的開(kāi)發(fā)等提供有指導(dǎo)意義的數(shù)據(jù)。本文收集整理了一些資料，期望能對(duì)各位讀者有比較大的參閱價(jià)值。

2022-11-17 16:00:08

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一般來(lái)說(shuō)，芯片在研發(fā)、生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)錯(cuò)誤是不可避免的。失效分析是判斷產(chǎn)品的失效模式，查找產(chǎn)品失效機(jī)理和原因，提出預(yù)防再失效對(duì)策的技術(shù)活動(dòng)和管理活動(dòng)。隨著人們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來(lái)越重要，社會(huì)的發(fā)展就是一個(gè)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題解決問(wèn)題的過(guò)程，出現(xiàn)問(wèn)題不可怕，但頻繁出現(xiàn)同一類(lèi)問(wèn)題是非?？膳碌?。

2022-11-15 16:25:47

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環(huán)境應(yīng)力篩選的目的是通過(guò)向產(chǎn)品施加合理的環(huán)境應(yīng)力,將其內(nèi)部的潛在缺陷加速變成故障,并加以發(fā)現(xiàn)和排除的過(guò)程,其目的是剔除產(chǎn)品的早期故障。電子產(chǎn)品的工作過(guò)程中，除了電載荷的電壓、電流等電應(yīng)力外，環(huán)境應(yīng)力還包括高溫和溫循、機(jī)械振動(dòng)和沖擊、潮濕和鹽霧、電磁場(chǎng)干擾等。在上述環(huán)境應(yīng)力的作用下，產(chǎn)品可能出現(xiàn)性能退化、參數(shù)漂移、材料腐蝕等，甚至失效。本文收集整理了一些資料，期望能對(duì)各位讀者有比較大的參閱價(jià)值。

2022-10-21 15:00:00

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失效是指電子元器件出現(xiàn)的故障。破壞性物理分析（Destructive Physical Analysis）是為了驗(yàn)證元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿足預(yù)定用途或有關(guān)規(guī)范的要求，按元器件的生產(chǎn)批次進(jìn)行抽樣，對(duì)元器件樣品進(jìn)行非破壞性分析和破壞性分析的一系列檢驗(yàn)和分析的全過(guò)程。

2022-10-09 16:50:08

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集成電路上機(jī)失效，原因復(fù)雜多樣，常見(jiàn)原因有：制造工藝缺陷、環(huán)境因素、SMT工序、產(chǎn)品的設(shè)計(jì)缺陷、EMC電磁兼容設(shè)計(jì)、過(guò)壓過(guò)流、靜電（ESD）損壞等。

2022-09-01 16:01:00

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隨著人們對(duì)電子產(chǎn)品質(zhì)量可靠性的要求不斷增加，電子元器件的可靠性不斷引起人們的關(guān)注，如何提高可靠性成為電子元器件制造的熱點(diǎn)問(wèn)題。為幫助大家深入了解，本文將對(duì)電子器件失效分析的相關(guān)知識(shí)予以匯總。如果您對(duì)本文即將要涉及的內(nèi)容感興趣的話，那就繼續(xù)往下閱讀吧。

2022-08-25 15:51:14

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LED芯片核心構(gòu)架是半導(dǎo)體晶片，由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體在晶片空穴占主導(dǎo)地位，當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體連接起來(lái)時(shí)，將形成一個(gè)P-N結(jié)。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線作用在半導(dǎo)體晶片時(shí)，電子將被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子和空穴符合，以光子形式發(fā)出能量，這也是LED芯片發(fā)光的工作原理，光的波長(zhǎng)也是光的顏色，將由P-N結(jié)的材料所決定的。LED芯片主要材料為單晶硅，作為L(zhǎng)ED光源最核心的部件，其質(zhì)量決定著產(chǎn)品的性能及可靠性。任何不當(dāng)使用都可能會(huì)損傷芯片，使得芯片在使用過(guò)程中出現(xiàn)失效。對(duì)于應(yīng)用工程師,芯片失效分析

2022-08-08 16:39:00

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